后摩尔时代最具潜力材料！半导体性单壁碳纳米管获突破 概念股不足10只

　　大规模合成高纯度半导体性单壁碳纳米管有新方法。

　　高产高纯制备半导体性单壁碳纳米管实现突破

　　据《中国科学报》4月12日报道，日前，西北工业大学材料学院教授赵廷凯团队对半导体性单壁碳纳米管的可控制备进行深入研究，提出一种新的多循环生长工艺，选择性合成的半导体性单壁碳纳米管丰度高达93.2%，产率从0.76%提高到1.34%，为大规模合成高纯度半导体性单壁碳纳米管提供了新方法。