作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)被认为是功率半导体行业进步的主要方向。在近几年国内厂商不断沉淀技术与升级产品的背景下,国产碳化硅 MOSFET在2024年开始放量。
碳化硅 MOSFET相比IGBT有哪些性能优越性?系统成本是否实现追平?国内碳化硅产业还面临哪些挑战?近日,第一财经专访瑶芯微董事长郭亮良,就上述话题进行交流。
性能优越,百亿美元市场可期
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