7月6日下午，2017世界石墨烯创新大会举办石墨烯材料制备技术分论坛，来自荷兰、美国、以色列以及我国西安交通大学、南京大学的9位专家，围绕石墨烯制备技术作专题报告。
记者从论坛上获悉，目前主流的石墨烯制备法有4种，其中CVD制备法可为超大规模集成电路制成大面积、高质量的石墨烯薄膜，颇受业界关注。
CVD制备，即化学气相淀积制备法，它是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸汽及反应所需其他气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜。在超大规模集成电路中，很多薄膜都采用CVD方法制备。经过CVD处理后，石墨烯表面处理膜密着性约提高30%，能防止高强力钢在弯曲、拉伸等成形时产生刮痕。CVD制备法拥有无可比拟的优点：单次生长尺寸可以很大，有可能规模化生产，而且生长得到的石墨烯性能很好。
